Ученые ННГУ им. Н.И. Лобачевского получили патент на изобретение нового поколения устройств компьютерной памяти. Разработка осуществлялась в рамках программы мегагрантов
Изобретение получено в научно-исследовательской лаборатории (НИЛ) стохастических мультистабильных систем («СтоЛаб») научно-образовательного центра «Физика твердотельных наноструктур» ННГУ, созданной под руководством Бернардо Спаньоло (Университет Палермо, Италия) в 2018 году.
Предлагаемое учеными ННГУ им. Н.И. Лобачевского изобретение расширяет арсенал измерительных технологий в актуальной области изготовления мемристоров, являющихся основой нового поколения устройств энергонезависимой памяти.
Мемристоры представляют собой пассивный элемент в микроэлектронике, способный изменять свое сопротивление в зависимости от протекавшего через него заряда. Благодаря этому они обладают своего рода памятью, которая может быть гораздо эффективнее современной флеш-памяти, которая сегодня используется в компьютерах и смартфонах. Мемристор фиксирует в памяти пропущенный заряд и работа компьютера будет продолжаться с того места, на котором она остановлена в предыдущий раз. Таким образом, компьютерам не требуется «загружать систему». Ученые предполагают, что с помощью мемристоров можно полностью заменить оперативную память.
Более того, энергоэффективные вычислительные системы с возможностью фиксации текущего состояния даже после аварийного отключения питания – это сильный прорыв вперёд в области вычислительной техники.
Перспективы внедрения мемристоров огромны: отличаясь повышенным быстродействием, сверхнизким энергопотреблением и надежностью мемристовые устройства могут быть использованы в запоминающих устройствах, нейропроцессорах, нейрокомпьютерах, нейроимплантах и нейроинтерфейсах.
Результаты исследования опубликованы в журнале Applied Physics Letters.
Читать подробнее: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
