Ученые Лаборатории нейроэлектроники и мемристивных наноматериалов, созданной по программе мегагрантов в Южном федеральном университете, получили новые материалы для элементной базы нейроморфной электроники.
«Пленки ниобата лития, полученные методом импульсного лазерного осаждения, по ряду параметров отвечают тем же требованиям, что и другие материалы для синаптических устройств. Если продолжать эксперименты с этим соединением, получать всё новые композиты на его основе, то с большой вероятностью мы однажды получим материал, превосходящий аналоги, и нейроморфные процессоры будут производиться из него», — рассказал младший научный сотрудник мегагрантской лаборатории Даниил Хахулин.
Ученые ЮФУ уже имеют на руках не только образцы нового материала, но и инновационные методики управления его состоянием. Изменяя ток, напряжение и длительность импульса, сотрудники лаборатории ЮФУ научились контролировать сопротивление и пластичность ниобата лития.
«Ряд материалов снискал больше внимания исследователей в решении задач нейроморфной микроэлектроники в первую очередь благодаря сочетанию оптимальных электрофизических свойств и технологичности. Однако это не исключает поиска новых материалов для повышения эксплуатационных характеристик конечных устройств нейроэлектроники. Главным преимуществом и одновременно недостатком наших пленок является высокое сопротивление. Однако гибкость технологии импульсного лазерного осаждения позволяет нам получать композитные пленки, варьируя концентрацию примеси как по толщине пленки, так и по ее поверхности. Это открывает путь к поиску композита на основе с наилучшим сочетанием свойств применительно к задачам нейроморфной электроники», — подытожил Даниил Хахулин.
Читать подробнее: В ЮФУ изучили потенциал ниобата лития для синаптических устройств, Naked Science, 07.11.2023
Источник фото: В ЮФУ изучили потенциал ниобата лития для синаптических устройств, Naked Science, 07.11.2023 (Getty images)
