По данным на 01.11.2022
Одним из наиболее перспективных направлений исследований по созданию новых видов памяти, которым занимаются ученые лаборатории, является разработка резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM) на основе мемристивных материалов. Основные достоинства этих материалов - высокое быстродействие, низкое энергопотребление элемента памяти, изготовленного на его основе, рекордно малые размеры, высокая надежность и скорость перезаписи при низковольтном питании и возможности использования низкоэнергозатратных процедур перезаписи/удаления, простота изготовления и создания сверхплотной упаковки - представляют чрезвычайный интерес для широчайшего применения RRAM в устройствах для бурно развивающихся технологий интернета вещей.
Название проекта: Комплексное исследование флуктуационных явлений в мультистабильных системах для создания новых поколений электронных устройств и нейроморфных технологий искусственного интеллекта на основе мемристивных материалов
Направление исследований: Использование новейших методов статистического анализа в исследованиях флуктуационных явлений в мультистабильных мемристивных системах с целью обнаружения и детального изучения конструктивной роли шума, что позволит обеспечить опережающий научный задел для создания новых поколений электронных устройств и нейроморфных технологий искусственного интеллекта на основе мемристивных материалов
Цель проекта:
- Исследование влияния внешних и внутренних шумов на поведение мультистабильных систем, изучение и анализ явлений с конструктивной ролью шума в мультистабильных системах
- Экспериментальное исследование поведения мемристивных наноструктур на основе оксидных материалов при воздействии внешних и внутренних шумов, разработка адекватной физической макромодели мемристора с учетом влияния внешних и внутренних шумов и сопоставление ее с микромоделью физико-химических явлений, ответственных за резистивное переключение
- Изучение микроскопической природы возникновения и влияния фликкер-шума и высокочастотного шума в мемристивных наноструктурах, экспериментальная демонстрация принципиально новых возможностей для повышения стабильности, предсказания поведения и управления параметрами мемристивных устройств в прототипах электронных устройств и нейроморфных систем нового поколения
Лаборатория, принимающая организация
|
Область наук
|
Город
|
Приглашенный ученый
|
Период реализации проекта
|
---|---|---|---|---|
Лаборатория физики для нейроморфных вычислительных систем
МИРЭА - Российский технологический университет - (РТУ МИРЭА) |
Электротехника, электронная техника, информационные технологии |
Москва |
Расинг Теодорус-Хенрикус-Мария
Нидерланды |
2022-2024 |
Лаборатория беспроводных технологий
Национальный исследовательский университет ИТМО - (ИТМО) |
Электротехника, электронная техника, информационные технологии |
Санкт-Петербург |
Баена Доэлло Хуан Доминго
Испания |
2022-2024 |
Лаборатория контролируемых оптических наноструктур
Московский физико-технический институт (НИУ) - (МФТИ) |
Электротехника, электронная техника, информационные технологии |
Долгопрудный |
Мирошниченко Андрей Евгеньевич
Австралия, Россия |
2022-2024 |