Мы используем cookie файлы.
Пользуясь сайтом, вы соглашаетесь с нашей Политикой конфиденциальности.

Лаборатория детекторов синхротронного излучения

Номер договора
075-15-2022-1132
Период реализации проекта
2022-2024

По данным на 01.12.2023

49
Количество специалистов
19
научных публикаций
4
Объектов интеллектуальной собственности
Общая информация

Название проекта:

Разработка фундаментальных основ физики и технологии радиационностойких полупроводниковых структур и создание на их основе многоэлементных детекторов для обеспечения исследований и исследовательской инфраструктуры синхротронного центра 4+ поколения СКИФ и других мегасайенс проектов в Российской Федерации

Направления исследований: Физика и астрономия

Цели и задачи

Цель проекта:

Формирование в Томском государственном университете лаборатории детекторов синхротронного излучения под руководством ведущего учёного для выполнения перспективных научных исследований с целью разработки фундаментальных основ физики радиационной стойкости полупроводниковых материалов и структур сложного состава на основе арсенида галлия, модифицированного примесями с глубокими уровнями и разработка фундаментальных основ технологии изготовления радиационностойких полупроводниковых материалов, многоэлементных сенсоров, цифровой электроники и детекторов для обеспечения исследований и исследовательской инфраструктуры синхротронного центра 4+ поколения «СКИФ» и других “мегасайенс” проектов в Российской Федерации.

Задачи проекта:

  1. Выполнение фундаментальных научных исследований радиационной стойкости полупроводниковых материалов и структур сложного состава на основе арсенида галлия, модифицированного примесями с глубокими уровнями в процессе эпитаксии и диффузии.
  2. Разработка фундаментальных основ технологии изготовления радиационностойких материалов и полупроводниковых структур на базе оригинальных HR-GaAs:Cr диффузионных и эпитаксиальных слоёв и легированных металлооксидных соединений.
  3. Разработка фундаментальных основ и технологий радиационностойких многоэлементных сенсоров, способных регистрировать с высоким быстродействием и пространственным разрешением координаты и энергию единичных квантов синхротронного излучения.
  4. Исследование закономерностей радиационной стойкости детекторных структур и многоканальных детекторов на нейтронах и пучке заряженных частиц.
  5. Разработка конструкции и технологии отечественных быстродействующих цифровых специализированных интегральных схем (ASIC) для поканального преобразования энергии квантов в цифровой код, обработки информации с многоканального радиационно-стойкого сенсора с распределением по заданным поддиапазонам энергии регистрируемых квантов синхротронного излучения.
  6. Разработка технологии формирования контактных столбиков с высокой однородностью по высоте и технологии поканальной «флип-чип» сборки многоканального сенсора с ASIC чипами считывающей цифровой электроники.
  7. Разработка фундаментальных основ физики взаимодействия детекторных структур, матричных и микрополосковых детекторов с синхротронным излучением, обоснование применения полученных результатов в различных областях науки, медицины и промышленности.
  8. Исследование предельных характеристик радиационной стойкости многоканальных HR-GaAs:Cr детекторов.
  9. Испытание многоканальных детекторов в пучках ионов для определения пространственно-временных характеристик и спектральных характеристик детекторов.
  10. Разработка фундаментальных основ построения цифровых изображений различных объектов и динамических процессов с высоким пространственно-временным и спектральным разрешением.
  11. Разработка фундаментальных основ физики взаимодействия многоканальных детекторов с синхротронным излучением на Российской установке поколения 4+ СКИФ с получением микро- и наноскопической структуры изображений реальных объектов.
  12. Исследование фундаментальных основ физики и создание технологии радиационностойких координатных детекторов для физических экспериментов на международном линейном коллайдере (ILC), чарм-тау фабрике (ИЯФ СО РАН), СЕРС (Китай), FCC (ЦЕРН).
Практическое значение исследования

Научные результаты:

Создана лаборатория детекторов синхротронного излучения (ЛДСИ), единственное в Российской Федерации научно-технологическое подразделение, которое разработало не имеющую в мире аналогов наукоёмкую технологию детекторного материала – квантово-чувствительных арсенид галлиевых HR-GaAs:Cr структур и матричных детекторов ионизирующих излучений на их основе. ЛДСИ создало опытную производственную линейку по изготовлению HR-GaAs:Cr структур и матричных детекторов для организации в России импортозамещающего производства мультиспектральных цифровых рентгеновских систем цветовых изображений для промышленности, медицины и науки.

Внедрение результатов исследования:

HR-GaAs:Cr структуры, матричные сенсоры и детекторы, разработанные и изготавливаемые на опытном производстве лаборатории, востребованы на глобальном рынке, используются в ведущих мировых научных центрах: CERN (Швейцария); DESY (Германия); ESRF (Франция); PSI (Швейцария); RAL (Великобритания); JINP (Россия); ИЯФ АН РУз (Узбекистан); “spin-off” компаний мира: Dectris (Швейцария); X-Counter (Швеция); ImXPad (Франция); MARS (Зеландия); SkyScan (Нидерланды); XpectVision (Китай); Rigaku Corp. (Япония), а также на 17 предприятиях Российской Федерации.

Организационные и инфраструктурные преобразования:

Подготовлены помещения для обеспечения процесса изготовления макетных образцов, исследования электрофизических, электрических и фотоэлектрических характеристик HR-GaAs:Cr структур.

Образование и переподготовка кадров:

В 2022 г. разработаны и внедрены в учебный процесс три программы дисциплины в рамках реализации магистерской программы:

  • «Терагерцовая оптоэлектроника»;
  • «Материалы и структуры функциональной электроники и фотоники»;
  • «ПЛИС-технологии».

В 2023 г. разработаны и внедрены в учебный процесс шесть программ дисциплин в рамках реализации магистерской программы:

  • «Аналоговая схемотехника»;
  • «Аналоговые интегральные микросхемы»;
  • «Микроконтроллеры»;
  • «Приборное и технологическое моделирование в микроэлектронике»;
  • «Синхротронное излучение генерация и регистрация»;
  • «Технологии материалов и устройств микроэлектроники».

Разработан новый профессиональный модуль «Детекторы синхротронного излучения», который введен в образовательную программу магистратуры ТГУ на радиофизическом факультете, включающий три самостоятельные взаимодополняющие дисциплины:

  • «Аналоговые интегральные микросхемы для проведения физического эксперимента»;
  • «Моделирование полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения»;
  • «Генерация и регистрация синхротронного излучения».

По итогам реализации проекта защищено: 1 диссертация на соискание степени доктора наук, 4 диссертации на соискание учёной степени кандидата наук, 2 магистерских диссертаций, 5 дипломов бакалавра.

Сотрудниками лаборатории под руководством ведущего ученого пройдены 4 научные стажировки в Институте ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения Российской академии наук (Россия, г. Новосибирск) по темам: «Закономерности взаимодействия синхротронного рентгеновского излучения с сенсорами на основе монокристаллического сапфира», «Моделирование динамики фототока микрополосковых сенсоров на основе HR-GaAs:Cr структур при воздействии синхротронного рентгеновского излучения», «Расчет радиационных полей и энерговыделения при воздействии синхротронного рентгеновского излучения на HR GaAs:Cr структуры с использованием программного обеспечения FLUKA», «Моделирование динамики фототока сенсоров на основе кремниевых p+-n0-n+ структур (Si p+-n0-n+ структур) при воздействии синхротронного рентгеновского излучения».

Сотрудничество:

  • Государственная корпорация «Росатом», Департамент промышленности ядерных боеприпасов;
  • Государственная корпорация «Росатом», Федеральное государственное унитарное предприятие «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова»;
  • Государственная корпорация «Росатом», Акционерное общество «Специализированный научно-исследовательский институт приборостроения»;
  • Государственная корпорация «Росатом», АО «Научно-исследовательский институт приборостроения им. В.В. Тихомирова»;
  • Государственная корпорация «Росатом», АО «ТВЭЛ»;
  • Государственная корпорация «Росатом», АО «Сибирский химический комбинат»;
  • Федеральное государственное бюджетное учреждение «Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова Национального исследовательского центра «Курчатовский институт»;
  • Объединённый институт ядерных исследований, Дубна4
  • Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт ядерной физики имени Г. И. Будкера Сибирского отделения Российской академии наук».

Скрыть Показать полностью
Prudaev I., Kopyev V., Oleinik V.
Microplasma Breakdown in GaAs-Based Avalanche S-Diodes Doped with Deep Fe Acceptors // Physica Status Solidi (B): Basic Research. 2023. Vol. 260, Iss. 4. Article number 2200446. DOI: 10.1002/pssb.202200446.
Chsherbakov I.D., Shaimerdenova L.K., Shemeryankina A.V., Skakunov M.S., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N., Trofimov M.S.
Methods of Charge-Carrier Mobility Measurements in Structures Based on High-Resistivity Gallium Arsenide with Deep Centers // Russian Physics Journal. 2023. Vol. 66, Iss. 6. P. 626–631. DOI: 10.1007/s11182-023-02985-2.
Tyazhev A.V., Vinnik A.E., Zarubin A.N., Kosmachev P.V., Novikov V.A., Skakunov M.S., Tolbanov O.P., Shaimerdenova L.K., Shemeryankina A.V., Shcherbakov I.D.
Multi-Spectral X-Ray Detectors for Nondestructive Testing of 3D Printed Polymer Composites // Russian Physics Journal. 2023. Vol. 66, Iss. 7. P. 771–778. DOI: 10.1007/s11182-023-03004-0.
Aulchenko V.M., Glushak A.A., Zhulanov V.V., Zhuravlev A.N., Kiselev V.A., Kudryavtsev V.N., Piminov P.A., Titov V.M., Shekhtman L.I.
Silicon Microstrip Detector for Studying Fast Processes on a Synchrotron Beam // Journal of Surface Investigation. 2023. Vol. 17, Iss. 6. P. 1356–1363. DOI: 10.1007/s11182-023-03004-0.
Aulchenko V.M., Glushak A.A., Zh. V.V., Titov V.M., Shekhtman L.I.
Development of a One-Dimensional Detector for Diffraction Experiments at the Synchrotron Radiation Beam// Journal of Surface Investigation. 2023. Vol. 17, Iss. 4. P. 892–897. DOI: 10.1134/S1027451023040213.
Bereznaya S.A., Redkin R.A., Brudnyi V.N., Sarkisov Yu.S., Su Xi., Sarkisov S.Yu.,
Optical Absorption, Photocarrier Recombination Dynamics and Terahertz Dielectric Properties of Electron-Irradiated GaSe Crystals // Crystals. 2023. Vol. 13, Iss. 11. Article number 1562. DOI: 10.3390/cryst13111562.
Kalygina V.M., Tsymbalov A.V., Almaev A., Kushnarev B.O., Oleinik V.L., Petrova J.V., Yunin P.A.
Influence of White Light on the Photoelectric Characteristics of UV Detectors Based on β-Ga2O3 // IEEE Sensors Journal. 2023. Vol. 23, Iss. 14. Article number 15530. DOI: 10.1109/JSEN.2023.3284412.
Секрет производства (ноу-хау) «Способ скрытой маркировки пластин высокоомного арсенида галлия, компенсированного хромом»
Авторы: Винник А.Е., Зарубин А.Н., Скакунов М.С., Толбанов О.П., Тяжев А.В., Шаймерденова Л.К.; дата регистрации – 12.12.2022 г.;
Другие лаборатории и ученые
Лаборатория, принимающая организация
Область наук
Город
Приглашенный ученый
Период реализации проекта
Лаборатория топологических квантовых явлений в сверхпроводящих системах Центра перспективных методов мезофизики и нанотехнологий (10)

Московский физико-технический институт (НИУ) - (МФТИ)

Физика

Долгопрудный

2024-2028

Лаборатория кристаллофотоники

Санкт-Петербургский государственный университет - (СПбГУ)

Физика

Санкт-Петербург

Стомпос Константинос

Греция

2022-2024

Лаборатория «Квантовая инженерия света»

Южно-Уральский государственный университет (НИУ) - (ЮУрГУ (НИУ))

Физика

Челябинск

Кулик Сергей Павлович

Россия

2022-2024