Лаборатория ультра широкозонных полупроводников

Научные результаты:

• Выявлены особенности поведения приборов на основе широкозонных материалов при уменьшении размера активной области с помощью сухого травления (на примере GaN);
• впервые изучены закономерности радиационного дефектообразования в высокоомных плёнках альфа-полиморфа при облучении протонами и углеродом методами фотоэлектрической спектроскопии глубоких уровней и аннигиляции позитронов;
• впервые продемонстрировано образование двумерного дырочного газа в гетеропереходах с участием каппа-полиморфа оксида галлия;
• впервые изучены электрические характеристики слоёв гамма-полиморфа оксида галлия, образованных имплантацией галлия в бета-полиморф с последующей имплантацией кремния и обработкой в водородной плазме, исследована природа важных дефектных центров, образующихся в бета-полиморфе оксида галлия при высокотемпературном отжиге в водороде;
• впервые проведено облучение протонами диодов Шоттки на основе гамма-полиморфа, проведено сравнение с бета-полиморфом, доказана повышенная радиационная стойкость гамма- Ga2O3;
• впервые был изготовлен отечественный гетеропереход p-GaN/n-β-GaO3, оценен потенциал применения таких гетеропереходов для силовых применений, где пробивные напряжения достигают десятков кВ.

Организационные и инфраструктурные преобразования:

В НИТУ МИСИС была создана лаборатория Ультра широкозонных полупроводников.

Образование и переподготовка кадров:

Кочковой Анастасией Ильиничной защищена диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук на тему «Исследование электрических характеристик и спектров глубоких центров в кристаллах и эпитаксиальных пленках  β-Ga₂O₃»

Сотрудничество:

1. Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов Российской академии наук (ИПТМ РАН), Россия
2. ФТИ Иоффе, Россия
3. ООО «Совершенные кристаллы», Россия
4. Университет Корё, Республика Корея
5. Университет Хубэй, Китай