Мы используем cookie файлы.
Пользуясь сайтом, вы соглашаетесь с нашей Политикой конфиденциальности.

Номер договора
075-15-2022-1113
Период реализации проекта
2022-2024
Приглашенный ученый

По данным на 01.11.2022

19
Количество специалистов
3
научных публикаций
1
Объектов интеллектуальной собственности
Общая информация
Название проекта:

Новые радиационные явления в оксиде галлия и их применение в приборах.

Цели и задачи
Цель проекта:

Понимание того, как высокие концентрации точечных дефектов и связанные с ними упругие напряжения в широкозонных полупроводниках на основе Ga2O3 могут позволить преодолеть основные недостатки системы Ga2O3: низкую теплопроводность, отсутствие примесей или дефектов, создающих эффективную дырочную проводимость, выраженный полиморфизм и трудность объединения в одном устройстве различных полиморфов для максимизации положительных эффектов, даваемых каждым полиморфом, сильную метастабильность свойств.

Задачи проекта:
  1. Активное использование радиационных дефектов, создаваемых ионной имплантацией.
  2. Управление и оптимизация этого процесса для получения требуемых свойств материала.

Практическое значение исследования
Научные результаты:

Выявлены особенности поведения приборов на основе широкозонных материалов при уменьшении размера активной области с помощью сухого травления (на примере GaN), впервые изучены закономерности радиационного дефектообразования в высокоомных плёнках альфа-полиморфа при облучении протонами и углеродом методами фотоэлектрической спектроскопии глубоких уровней и аннигиляции позитронов, впервые продемонстрировано образование двумерного дырочного газа в гетеропереходах с участием каппа-полиморфа оксида галлия, впервые изучены электрические характеристики слоёв каппа-полиморфа оксида галлия, образованных имплантацией галлия в бета-полиморф с последующей имплантацией кремния и обработкой в водородной плазме, исследована природа важных дефектных центров, образующихся в бета-полиморфе оксида галлия при высокотемпературном отжиге в водороде.

Образование и переподготовка кадров:

Подготовлена к защите диссертация на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук (защита планируется в 2023 году).


Скрыть Показать полностью
Lee, I.-H., Kim, T.-H., Polyakov, A. Y., Chernykh, A. V., Skorikov, M. L., Yakimov, E. B., Alexanyan, L. A., Shchemerov, I. V., Vasilev, A. A., & Pearton, S. J.
Degradation by sidewall recombination centers in GaN blue micro-LEDs at diameters < 30 µm. In Journal of Alloys and Compounds (Vol. 921, p. 166072, 2022) https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2022.166072
Другие лаборатории и ученые
Лаборатория, принимающая организация
Область наук
Город
Приглашенный ученый
Период реализации проекта
Лаборатория ионоселективных мембран

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова - (МГУ)

Технологии материалов

Москва

Амедюри Брюно Мишель

Франция

2022-2024

Лаборатория нейроэлектроники и мемристивных наноматериалов

Южный федеральный университет - (ЮФУ)

Технологии материалов

Таганрог

Пак Бэ Хо

Корея

2022-2024

Лаборатория перспективных сталей для сельскохозяйственной техники

Российский государственный аграрный университет – МСХА им. К. А. Тимирязева - (РГАУ-МСХА имени К.А.Тимирязева)

Технологии материалов

Москва

Кайбышев Рустам Оскарович

Россия

2021-2023